STMicroelectronics fournira à Renault-Nissan-Mitsubishi des composants électroniques de puissance avancés en carbure de si...
September 09 2019 - 9:34AM
STMicroelectronics fournira à Renault-Nissan-Mitsubishi des
composants électroniques de puissance avancés en carbure de
silicium (SiC) pour des chargeurs de batterie ultrarapides destinés
à la nouvelle génération de véhicules électriques
- Le carbure de silicium (SiC) est une technologie d’électronique
de puissance extrêmement performante qui offre des perspectives
prometteuses pour les applications de mobilité intelligente et
durable.
- Le haut rendement énergétique, les performances thermiques, la
fiabilité et les dimensions réduites des composants en SiC de ST
contribueront à rendre les véhicules électriques encore plus
attractifs.
Genève, le 9 septembre 2019 - STMicroelectronics
(NYSE: STM), un leader mondial dont les clients couvrent toute la
gamme des applications électroniques, a été sélectionné par
Renault-Nissan-Mitsubishi (L’Alliance) pour fournir des solutions
d’électronique de puissance en carbure de silicium (SiC — Silicon
Carbide) à haut rendement utilisées dans les chargeurs embarqués
(On Board Chargers — OBC) de pointe qui équiperont les futurs
véhicules électriques.
Renault-Nissan-Mitsubishi prévoit d’utiliser la
nouvelle technologie d’électronique de puissance SiC pour fabriquer
des chargeurs embarqués de forte puissance plus efficients et plus
compacts qui augmenteront l’attractivité des véhicules électriques
auprès des utilisateurs en réduisant le temps de recharge des
batteries et en augmentant l’autonomie des véhicules. Partenaire de
Renault-Nissan-Mitsubishi dans le domaine de la technologie SiC
avancée, ST fournira son assistance à la conception afin de
maximiser les performances et la fiabilité des chargeurs
embarqués.
ST fournira également à
Renault-Nissan-Mitsubishi les composants associés, dont des
circuits intégrés en silicium. La production en série des chargeurs
embarqués équipés de la technologie SiC de ST devrait débuter en
2021.
« En tant que pionnier et leader mondial
des véhicules électriques zéro-émission, notre objectif reste
d’être le numéro 1 mondial sur le marché des véhicules électriques
grand public et abordables », a déclaré Philippe Schulz, VP en
charge de la conception des groupes motopropulseurs électrique et
hybride à l’Alliance. « La compacité, la légèreté et le
rendement énergétique élevé dont nous pouvons bénéficier en
intégrant la technologie SiC de ST dans nos chargeurs embarqués,
auxquels s’ajoute l’efficacité accrue de la batterie, nous
permettront d’accélérer l’adoption des véhicules électriques en
raccourcissant les temps de charge et en augmentant l’autonomie de
nos véhicules électriques. »
Marco Cassis, Président Ventes, Marketing,
Communications et Stratégie de STMicroelectronics, a déclaré :
« La technologie SiC peut aider la planète en réduisant la
dépendance vis-à-vis des combustibles fossiles et en augmentant
l’efficacité énergétique. ST a développé avec succès des procédés
de fabrication et constitué un portefeuille de produits SiC
qualifiés et disponibles, incluant des versions dédiées à
l’industrie automobile. Capitalisant sur notre coopération de
longue date, nous travaillons à présent avec
Renault-Nissan-Mitsubishi pour concrétiser les nombreux avantages
que le carbure de silicium peut apporter aux véhicules électriques.
De plus, notre engagement contribuera au succès de cette
technologie en augmentant les économies d’échelle dans le but de
fournir des systèmes et des circuits SiC plus performants à un coût
optimisé et abordable. »
Informations techniques
complémentaires :
À propos des systèmes de charge
embarquésLes véhicules électriques nécessitent un chargeur
embarqué (OBC – On-Board Charging) pour gérer la charge de la
batterie aux bornes disponibles dans l’infrastructure routière, en
l’absence de système de charge à domicile ou d’un superchargeur
dédié. Le délai de charge est déterminé par la puissance du
chargeur embarqué, qui est comprise entre 3 et 9 kW environ
sur les chargeurs dont disposent les véhicules électriques
actuellement disponibles.
En tant que leader sur le marché des véhicules
électriques, Renault-Nissan-Mitsubishi a déjà créé un chargeur
embarqué d’une puissance de 22 kW pour le modèle Renault
Zoe ; ce chargeur permet de recharger entièrement la batterie
en une heure environ. Aujourd’hui, en perfectionnant l’OBC pour
tirer parti de l’efficacité énergique accrue et des dimensions
réduites inhérentes qu’offrent les semiconducteurs de puissance en
SiC de ST (MOSFET et diodes de redressement),
Renault-Nissan-Mitsubishi peut encore minimiser la taille, le poids
et le coût de ses chargeurs, tout en augmentant leur efficacité
énergétique afin de rendre les futurs modèles encore plus
attractifs pour les utilisateurs et davantage respectueux de
l’environnement. Compacts et de forte puissance, les nouveaux
chargeurs embarqués apportent aux concepteurs davantage de liberté
pour concevoir des automobiles esthétiques et optimiser le
conditionnement, la répartition du poids et la maniabilité des
véhicules.
À propos de la technologie du carbure de
silicium (SiC)Le carbure de silicium (SiC — Silicon
Carbide) est une technologie électronique de puissance éprouvée qui
est utilisée pour fabriquer des commutateurs de puissance (MOSFET)
et des redresseurs (diodes) à haut rendement, et qui repose sur un
ensemble de données de confiance extrêmement fiables. Sur le plan
technologique, ce matériau semiconducteur à large bande (WBG — Wide
Band Gap) fonctionne à des fréquences et des températures nettement
supérieures et dans un format plus compact que les semiconducteurs
classiques. De tels avantages assurent aux concepteurs de
composants une maîtrise accrue des caractéristiques des circuits,
ce qui leur permet d’optimiser l’équilibre entre les dimensions
physiques, la résistance des MOSFET à l’état passant (RDS(ON)), la
tension directe de diode (VF) et des facteurs comme la capacité et
la charge de grille qui affectent les temps de fermeture/blocage
(turn-on/off) ou de recouvrement inverse, ainsi que l’énergie
dissipée lors de la commutation. Par rapport aux produits en
silicium classique, les semiconducteurs à large bande WBG peuvent
supporter des tensions appliquées plus élevées en fonction de la
taille du dispositif, de sorte que des composants légers peuvent
conjuguer une grande robustesse et une haute efficacité
énergétique.
Outre les applications automobiles telles que
les chargeurs embarqués (OBC), les MOSFET et les redresseurs en
carbure de silicium de ST sont largement utilisés pour le
conditionnement et la conversion d’énergie dans le secteur des
énergies renouvelables ainsi que dans d’autres équipements, tels
que l’automatisation industrielle, la distribution de courant
continu haute tension, les alimentations de datacentres ou les
solutions d’éclairage intelligent, où un rendement énergétique
maximum revêt un caractère prioritaire.
À propos de STMicroelectronics
ST, un leader mondial sur le marché des semiconducteurs, fournit
des produits et des solutions intelligents qui consomment peu
d’énergie et sont au cœur de l’électronique que chacun utilise au
quotidien. Les produits de ST sont présents partout, et avec nos
clients, nous contribuons à rendre la conduite automobile, les
usines, les villes et les habitations plus intelligentes et à
développer les nouvelles générations d’appareils mobiles et de
l’Internet des objets. Par l’utilisation croissante de la
technologie qui permet de mieux profiter de la vie, ST est synonyme
de « life.augmented ».
En 2018, ST a réalisé un chiffre d’affaires net
de 9,66 milliards de dollars auprès de plus 100 000
clients à travers le monde. Des informations complémentaires sont
disponibles sur le site : www.st.com.
Contact presse :
Nelly Dimey Tél : 01.58.07.77.85 Mobile : 06. 75.00.73.39
nelly.dimey@st.com
- FR_T3971A -- ST SiC in Renault-Nissan-Mitsubishi EVs
ST Microelectronics (BIT:STM)
Historical Stock Chart
From Aug 2024 to Sep 2024
ST Microelectronics (BIT:STM)
Historical Stock Chart
From Sep 2023 to Sep 2024