Validation récente d'un portefeuille de
brevets de 5N+ essentiels à la mise au point de nouveaux
interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure
verticale utilisés dans des applications liées à l'électronique à
haute puissance 600V/ 1200V, aux véhicules électriques et aux
serveurs d'IA
MONTRÉAL, le 21 mars 2024 /CNW/ - 5N Plus
inc. (« 5N+ » ou la « Société ») (TSX: VNP), chef de file de la
production de semiconducteurs spécialisés et de matériaux de haute
performance à l'échelle mondiale, a annoncé aujourd'hui qu'elle
lançait officiellement les droits de commercialisation de son
portefeuille de brevets liés au nitrure de gallium sur silicium
(GaN sur silicium), qui permettront de repousser les limites des
technologie des semiconducteurs et des technologies de commutation
de puissance. Ces brevets clés peuvent permettre à des entreprises
des secteurs de l'électronique à haute puissance, des véhicules
électriques et des serveurs d'intelligence artificielle de mettre
rapidement au point des prototypes de nouveaux interrupteurs de
puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale, et
ainsi arriver premier sur le marché.
Brevets clés permettant la commercialisation des tout
premiers dispositifs verticaux à base de GaN sur
silicium
Matériau semiconducteur à large bande interdite
mécaniquement stable ayant une capacité thermique et une
conductivité thermique élevées, le GaN est doté de propriétés
exceptionnelles. Aujourd'hui, le GaN en structure latérale est
principalement utilisé dans les applications à basse tension (moins
de 400 V) comme les chargeurs, mais la structure verticale
émergente GaN sur silicium a le potentiel de remplacer le carbure
de silicium (SiC), qui est actuellement le matériau privilégié pour
les applications de moyenne et de haute tension (p. ex., les
onduleurs pour véhicules électriques à 650 V). Le SiC est un matériau onéreux et peu
disponible, alors que le GaN sur silicium permet de bénéficier d'un
faible coût de fabrication. Des travaux
universitaires récents, utilisant les principaux brevets de
5N+, ont montré que le GaN sur silicium en structure verticale
offre un claquage par avalanche, contrairement au claquage
destructif des transistors à base de GaN en structure latérale,
permettant de protéger les circuits contre les surtensions, tout en
étant plus compacts et plus efficaces.
« Les récentes démonstrations universitaires ont montré que
nos 54 brevets permettront la mise au point de dispositifs
plus performants et plus efficaces que les dispositifs actuels.
Notre portefeuille de brevets est donc bien positionné pour
permettre aux entreprises majeures des secteurs de l'électronique à
haute puissance et des véhicules électriques de rapidement
développer et commercialiser les tout premiers interrupteurs de
puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale, qui
révolutionneront les applications de semiconducteurs à haute
tension », déclare Gervais
Jacques, président et chef de la direction de 5N+.
Portefeuille de brevets liés au GaN sur silicium de
5N+
Les droits commerciaux détenus par 5N+ en lien avec les
54 brevets qui lui sont octroyés incluent notamment
l'utilisation incontournable de substrats épais de silicium de
large diamètre (plus de 1 mm), combinés à des couches de
masquage permettant de filtrer les dislocations. L'augmentation de
l'épaisseur des substrats de silicium de large diamètre au sein des
dispositifs à base de GaN sur silicium en structure verticale
permet d'accroître la tenue en tension sans augmenter la taille de
la puce. Le brevet détenu par 5N+ comprend également la nécessité
de retirer le substrat pour former les contacts en face arrière. De
plus, la Société détient des brevets liés au GaN sur silicium en
structure latérale pour les applications de radiofréquence qui
alimenteront les prochaines générations de composants pour les
communications sans fil 5G et 6G. 5N+ détient ces brevets par
l'entremise de sa filiale en propriété exclusive, AZUR SPACE Solar
Power GmbH, chef de file dans la technologie de cellules solaires
multi-jonctions.
À propos de 5N+
5N+ est un chef de file mondial dans
la production de semiconducteurs spécialisés et de matériaux de
haute performance. Ces matériaux ultrapurs constituent souvent la
partie critique des produits offerts par ses clients, qui comptent
sur la fiabilité d'approvisionnement de 5N+ pour assurer la
performance et la durabilité de leurs propres produits. La Société
déploie un éventail de technologies exclusives et éprouvées pour
mettre au point et fabriquer ses produits, lesquels donnent lieu à
de nombreuses utilisations dans différents secteurs de pointe,
notamment les énergies renouvelables, la sécurité, la filière
spatiale, l'industrie pharmaceutique, l'imagerie médicale et la
production industrielle. 5N+, dont le siège social est situé à
Montréal (Québec, Canada), gère
des centres de recherche‐développement, de production et de vente
stratégiquement situés dans plusieurs pays, notamment en
Europe, en Amérique du Nord et en
Asie.
Énoncés prospectifs
Certains énoncés compris dans le
présent communiqué de presse peuvent être prospectifs au sens des
lois sur les valeurs mobilières en vigueur. Ces énoncés prospectifs
sont fondés sur un certain nombre d'estimations et d'hypothèses que
la Société juge raisonnables lorsqu'elles sont formulées, notamment
que 5N+ sera en mesure de maintenir en poste et d'embaucher du
personnel clé et de préserver les relations avec ses clients, ses
fournisseurs et ses autres partenaires commerciaux; que 5N+
continuera de mener ses activités dans le cours normal des
affaires; que 5N+ sera en mesure de mettre en œuvre sa stratégie de
croissance; que 5N+ réussira à traiter les commandes de son carnet
de commandes en temps opportun; que 5N+ ne subira pas de problèmes
liés à la chaîne d'approvisionnement ou de perturbations
importantes de l'approvisionnement en matières premières à des
conditions concurrentielles; que 5N+ sera en mesure de générer de
nouvelles ventes, de produire, de livrer et de vendre des produits
aux volumes et aux prix prévus et de contrôler ses coûts;
ainsi que sur d'autres facteurs jugés appropriés et raisonnables
dans les circonstances. Toutefois, rien ne garantit que ces
estimations et ces hypothèses se révéleront exactes. Ces énoncés ne
constituent pas une garantie du rendement futur, reposent sur des
hypothèses et comportent des risques et des incertitudes difficiles
à prévoir et qui peuvent faire en sorte que les résultats, la
performance ou les réalisations réels de la Société diffèrent
sensiblement des résultats, de la performance ou des réalisations
futurs, exprimés ou sous‐entendus dans ces énoncés prospectifs. Une
description des risques qui touchent l'entreprise et les activités
de la Société est présentée à la rubrique « Risques et
incertitudes » du rapport de gestion de 2023 de 5N+ daté du
27 février 2024, qui peut être consulté sur le site SEDAR, à
l'adresse www.sedarplus.ca.
En règle générale, les énoncés prospectifs se distinguent par
l'emploi du futur et du conditionnel et par l'utilisation de termes
tels que « croire » ou « s'attendre à », à la
forme positive et négative, de variantes de ces termes ou de termes
similaires. Rien ne garantit que les événements prévus dans les
énoncés prospectifs du présent communiqué de presse se produiront,
ou s'ils se produisent, quels seront les avantages que 5N+ pourra
en tirer. Plus particulièrement, rien ne garantit la performance
financière future de 5N+. Les énoncés prospectifs figurant dans le
présent communiqué de presse sont valables en date de celui-ci, et
la Société n'a aucune obligation de mettre publiquement à jour ces
énoncés prospectifs afin de tenir compte de nouveaux
renseignements, obtenus ultérieurement ou autrement, à moins d'y
être obligée en vertu des lois sur les valeurs mobilières en
vigueur. Le lecteur est averti de ne pas se fier indûment à ces
énoncés prospectifs.
SOURCE 5N Plus Inc.