STMicroelectronics ouvre la voie à la réalisation de chargeurs et d’adapteurs d’alimentation plus compacts et plus rapi...
September 30 2020 - 10:00AM
STMicroelectronics ouvre la voie à la réalisation de chargeurs et
d’adapteurs d’alimentation plus compacts et plus rapides associant
pour la première fois un circuit de commande et des transistors en
GaN
P4287D
STMicroelectronics ouvre la voie à la
réalisation de chargeurs et d’adapteurs d’alimentation plus
compacts et plus rapides associant pour la première fois un circuit
de commande et des transistors en GaN
- Première solution au monde à intégrer dans un même boîtier un
circuit de commande en silicium et des transistors de puissance en
GaN.
- Elle permettra de réduire le poids et les dimensions des
chargeurs et des adaptateurs de respectivement 70 % et
80 %, tout en multipliant la vitesse de charge par trois par
rapport aux solutions ordinaires en silicium.
Genève, le 30 septembre 2020 -
STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial des
semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des
applications électroniques, annonce MasterGaN®, la
première plateforme au monde associant un circuit de commande en
demi-pont réalisé en technologie silicium avec une paire de
transistors en nitrure de gallium (GaN). Cette association
permettra d’accélérer la création de chargeurs et d’adaptateurs
d’alimentation compacts et efficaces de nouvelle génération
destinés aux applications électroniques grand public et
industrielles jusqu’à 400 W.
Le nitrure de gallium (GaN) permet à ces
appareils de gérer une puissance plus élevée, tout en étant à la
fois plus compacts, plus légers et plus efficaces sur le plan
énergétique. De telles améliorations feront une grande différence
dans les chargeurs ultra-rapides et les chargeurs sans fil pour
smartphones, les adaptateurs compacts d’alimentation par prise USB
(USB-PD1) pour PC et consoles de jeu, ainsi que dans les
applications industrielles telles que les systèmes de stockage
d’énergie solaire, les alimentations sans interruption, les
téléviseurs OLED haut de gamme et les serveurs cloud.
Aujourd’hui, le marché du GaN est généralement
desservi par des transistors discrets de puissance et des circuits
de commande auxquels les concepteurs doivent apprendre à
fonctionner ensemble pour fournir les meilleures performances. En
contournant ce défi, la solution MasterGaN de ST réduit les délais
de mise sur le marché avec des performances garanties, tout en
conjuguant un encombrement réduit, un assemblage simplifié et une
fiabilité accrue malgré une nomenclature réduite. Grâce à la
technologie GaN et aux avantages des produits intégrés de ST, les
chargeurs et les adaptateurs peuvent réduire le poids et les
dimensions de respectivement 70 % et 80 % par rapport aux solutions
ordinaires réalisées en silicium.
« Sans équivalent sur le marché, la
plateforme MasterGaN s’appuie sur l’expertise et les compétences
reconnues de ST dans le domaine de la conception de puissance pour
associer la technologie BCD de puissance intelligente en tensions
élevées et la technologie GaN, dans le but d’accélérer la création
de produits de faible encombrement, peu gourmands en énergie et
davantage respectueux de l’environnement », déclare Matteo Lo
Presti, Executive Vice-President et directeur général du
sous-groupe Produits Analogiques de STMicroelectronics.
ST lance la nouvelle plateforme avec la
référence MasterGaN1, qui contient deux transistors de puissance en
nitrure de gallium GaN connectés en demi-pont avec des circuits de
commande de la partie haute et basse intégrés.
La plateforme MasterGaN1 est actuellement en
production et montée en boîtier GQFN de 9 mm x 9 mm d’une
hauteur de seulement 1 mm. Elle est disponible auprès des
distributeurs au prix unitaire de 7 dollars par
1 000 pièces.
Une carte d’évaluation est également disponible
pour aider les clients à démarrer leurs projets.
Complément d’information
techniqueLa plateforme MasterGaN utilise des circuits de
commande de grille STDRIVE à 600 V et des transistors à haute
mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium. Mesurant 9 mm x
9 mm, le boîtier GQFN de faible épaisseur assure une densité de
puissance élevée et convient aux applications en tensions élevées
avec une distance d’isolation de plus de 2 mm entre les contacts
haute tension et basse tension.
Cette famille couvrira différentes variantes de
transistors GaN (RDS(ON)) et sera disponible sous forme de produits
en demi-pont compatibles broche à broche, permettant ainsi aux
ingénieurs de monter leurs projets en échelle, moyennant un minimum
de modifications au niveau matériel. Tirant parti des faibles
pertes de mise en conduction et de l’absence de recouvrement au
niveau de la diode de structure qui caractérisent les transistors
GaN, ces produits affichent un rendement supérieur et des
performances globalement améliorées dans des topologies haut de
gamme à haute efficacité de type flyback ou forward à écrêtage
actif, résonant, PFC (correcteur de facteur de puissance) à
architecture « totem pole » à résonance et sans
pont, et autres configurations à commutation lente et rapide
utilisées dans les convertisseurs CA/CC et CC/CC, ainsi que les
onduleurs CC/CA.
La plateforme MasterGaN1 héberge deux
transistors normalement à l’état bloqué (off) et dont les
paramètres de synchronisation sont étroitement liés, un courant
nominal maximum de 10 A et une résistance drain-source à l’état
passant (RDS(ON)) de 150 milliohms. Les entrées logiques sont
compatibles avec des signaux compris entre 3,3 et 15 V. Des
fonctions de protection complètes sont également embarquées, parmi
lesquelles une protection contre les blocages en cas de
sous-tension (UVLO) côtés « high-side » et
« low-side », un verrouillage (interlocking), une broche
d’arrêt dédiée et une protection contre les températures
excessives.
Pour plus d’information : www.st.com/mastergan1-prVous pouvez
également lire l’article sur notre Blog à l’adresse
https://blog.st.com/mastergan1/
À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes 46 000 créateurs et fabricants de
technologies microélectroniques. Nous maîtrisons toute la chaîne
d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de
production de pointe. En tant que fabricant de composants
indépendant, nous collaborons avec 100 000 clients et des
milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des
produits, des solutions et des écosystèmes qui répondent à leurs
défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde
plus durable. Nos technologies permettent une mobilité plus
intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie et de la
puissance, et un déploiement à grande échelle de l’Internet des
objets (IoT) et de la 5G.
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